EAGの最新分析技術セミナー 【応用編】『最先端の高感度微小領域分析』のご案内
本セミナーでは本社・EAGラボラトリーズの技術者を招いて最新分析技術をご紹介いたします。
また、セミナーでは日本未発表の分析技術も予定しております。
日時 2023年10月27日(金)10:30 - 16:30
参加費 無料(当日はランチボックスをお配りします)
定員 先着100名
会場 ステーションカンファレンス東京
JR東京駅 日本橋口 直結 / 八重洲北口 徒歩2分
東京メトロ 東西線大手町駅B7出口 直結
〒100-0005 東京都千代田区丸の内1-7-12
講演内容 EAGの最新分析技術セミナー 【応用編】
『最先端の高感度微小領域分析』
事前登録 定員に達しましたので事前登録を締め切りました
発表プログラム(予定)
- スペシャルゲスト
東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所
新田 州吾 先生 (Shugo NITTA, Ph.D.)
GaNパワーデバイス関連の結晶成長技術の現状、及び今後の動向 - EAG Laboratories
EAGラボラトリーズのラボ紹介
最新のEAG分析技術
半導体材料・セラミックスを中心とした絶縁体材料の高精度GDMS分析
高分解能TEM-EELSを用いた半導体の界面評価、ひずみ評価
SIMSを用いた半導体材料における高感度微小領域分析
*内容は一部変更となる可能性があります。