3D-APT｜三次元アトムプローブトモグラフィー分析
分析概略
3D-APTは高感度の三次元空間イメージングと組成分析を提供するナノスケールの分析手法です。3D-APTはTEM/STEMに近い空間分解能を持ちながら、組成分析はTEM/STEMよりも高感度になります。EAG LaboratoriesのCAMECA社LEAP5000XRはUVアシスト機能があり一部の絶縁体サンプルも分析可能です。
※ 3D-APT（三次元アトムプローブトモグラフィ：3D-Atom probe tomograph）
対象分野
半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー・メディカルデバイス
対象試料の事例
- 化合物半導体・パワー半導体・FinFET・PMOSキャップ層・3D-NANDの三次元構造分析
- 湾曲・不均一な結晶流界の三次元構造解析
- リチウムイオン電池などの軽元素分析（Be、B、Li、C、Al）
- 合金（Al7075・形状記憶合金・チタン）などの組成と析出物分析
- LED・FinFET・3D-NADA・リチウムイオン電池の表面コーティング用の低濃度ドーパント分析
原理/特徴
3D-APTは試料をFIB-SEMで頂点の半径を約100nmほどの円錐形のプローブ形状に加工します。加工されたプローブ形状の試料は25〜80Kの極低温に冷却された状態でイオンビームまたはパルスレーザーによって電界蒸発させ原子レベルの分析を行います。
- 空間分解能：最大0.3nm
- CAMECA社 LEAP5000XR（UVレーザー機能付属）
- 高質量分解
- 同位体分析が可能
FIB-SEMでの3D-APT試料作製プロセス
分析事例
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Micro LEDのエピタキシャル膜 |
GaNのMg偏析分布 |
Al合金（Al7075）のMg、Zn、Cu分布分析 |
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技術資料
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テクニックノート |
