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TEM-PED|プリセッション電子線回折分析

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分析概略

TEM-PED(TEM-Precession Electron Diffraction:プリセッション電子線回折分析)とはTEMを用いた微小範囲の結晶方位解析です。従来のXRDEBSDとの違いは、ナノスケールで個々の結晶構造を解析することができます(EBSDの空間分解能は約100nmですが、PEDは10nm以下の個々の結晶方位まで分析ができます)。

対象分野


半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー・メディカルデバイス

対象試料の事例


  • 半導体のナノスケール領域
  • 金属・合金
  • セラミックス
  • 磁性材料

用途事例


  • 結晶粒の面方位分析・測定
  • 結晶解析・結晶性評価
  • 配向測定
  • 双晶(粒界)評価

原理/特徴

  • 結晶方位解析
  • 結晶の形状(角度による粒界の定義)
  • 結晶粒の相関角度・回転軸・測定
  • 結晶粒径分布の測定
  • 結晶方位マップ(グレインサイズ・集合組織・結晶相の識別と分布・ひずみ解析・結晶粒界解析)
  • 結晶方位情報:極点図・逆極点図

比較:ESBDとXRDとPED

EBSD XRD PED
  • グレインサイズ:100nm~200um
  • 配向性評価:◯
  • 格子定数:✕
  • 物質同定:△
  • 双晶(粒界)評価:◯
  • グレインサイズ:1nm~100nm
  • 配向性評価:◯
  • 格子定数:◎
  • 物質同定:◯
  • 双晶(粒界)評価:✕
  • グレインサイズ:数nm
  • 配向性評価:◯
  • 格子定数:✕
  • 物質同定:△
  • 双晶(粒界)評価:◯

分析事例


PED:SOC(システム・オン・チップ、7nm EUV露光)の微小領域である金属ラインの粒径分布・結晶方位
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PED:同試料・金属ラインの極点図(Cu)
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PED:SOC(システム・オン・チップ、7nm EUV露光)の微小領域である金属ラインの粒径分布・結晶方位

PED:同試料・金属ラインの極点図(Cu)

 

 

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