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TEM-EDS/EELS|透過型電子顕微鏡・元素分析

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分析概略


TEM/STEMを用いた元素分析です。EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy:ネルギー分散型X線分光法)は比較的重元素の測定に向いており、EELS(Electron Energy Loss Spectroscopy:電子エネルギー損失分光分法)は比較的軽元素の分析に向いています。更にEELSでは状態分析も可能です。

対象分野


半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー・メディカルデバイス

対象試料の事例


  • Ⅲ-Ⅴ・GaN系薄膜・ デバイスの断面構造観察及び元素分析
  • Si系薄膜・ デバイスの断面構造観察及び元素分析
  • その他各種固体材料の元素分析
  • 燃料電池触媒の元素分析
  • 有機EL素子等、有機デバイスの元素分析

原理/特徴


ESDは試料に電子線が照射された際に発生した特性X線の電子エネルギーから元素と濃度を分析する手法です。その一方、EELSは試料に電子線を照射し、非弾性散乱によるエネルギー損失を計測する分析方法。また、EELSではEDSでは分析できない状態分析が行えるのが特徴です。

  • 元素分析(ポイント、ライン、マッピング分析)
  • 元素像の高分解能マッピング
  • 状態分析(EELS)

比較:EDSとEELS

比較項目 EDS EELS
対象元素 B以上 H以上
検出下限 %オーダー
エネルギー分解能 130ev前後 1ev以下
空間分解能 わずかにEELSが優れている(~1nm)
特徴

比較的重元素が得意

不明確な元素同定向き

比較的軽元素が得意

状態分析が可能

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分析事例


Fin FET構造 Gate cut TEM薄片のEELS元素マッピング分析
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高精度・断面TEM試料作製(3D NADAフラッシュメモリー)
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Multiple FIB cut 高精度・平面TEM試料作製 (3D NADAフラッシュメモリー)
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Fin FET構造 Gate cut TEM薄片のEELS元素マッピング分析

元素マッピングからHigh-kゲート絶縁膜のHfO2・バリア層のTiN・ソース・ドレイン下層の高濃度Ge層を確認することが可能。

Fin FET構造 Gate cut TEMラメラのEELS 元素の結合状態分析

EELSスペクトルよりTiSiとTiNの結合状態の分離が可能。TiSiとTiNを分離したマッピング分析では、Co電極・TiNバリア層・TiSi層の状態を確認可能。

22nm Fin FET構造のTEM/EELS元素マッピング分析

高分解能観察ではFin FET構造をSi原子が確認可能なナノメータースケールで評価可能。さらにEELS元素マッピングを行うことでHigh-kゲート絶縁膜のHfO2・バリア層のTiNなどデバイス構造を詳細に確認可能。

High-kメタルゲート試料のEELS 元素の結合状態分析
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EELSとEDSの比較: High-kメタルゲート(HKMG)の同一箇所をEELSとEDSでマッピング分析
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EELSとEDSの比較: High-kメタルゲート(HKMG)の同一箇所をEELSとEDSでマッピング分析
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High-kメタルゲート試料のEELS 元素の結合状態分析

EELSを用いたライン分析の結果、スペクトルからAlTiO・AlTi及びTiNの結合状態の分離が可能。

EELSとEDSの比較:
High-kメタルゲート(HKMG)の同一箇所をEELSとEDSでマッピング分析

不特定元素の評価にはEDSを用いた解析が適しているが、一方、ナノスケールの微細Siデバイス評価ではEELSを用いることでより明確に構造を解析することが可能。

EELSとEDSの比較:
SrFeO3 原子スケールのEDSとEELSマッピング分析

原子スケールによるEDSとEELSを併用することでEDSではSrとFeを、EELSではOの原子位置を明確に特定することが可能。

 

関連のある分析手法



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