TXRF｜全反射蛍光X線分析
分析概略
TXRF（Total reflection x-ray fluorescence : 全反射蛍光X線分析）は半導体ウエハ表面の微量金属汚染の評価に用いています。洗浄など、製造製造工程でウエハ表面に付着した金属汚染の分析に有効です。非破壊での分析となり、半導体業界での金属汚染の評価には必要不可欠な分析手法になります。EAG Laboratoriesでは最大300mmウエハの評価に対応し、クリーンルーム（クラス10）に設置されています。
対象分野
半導体
用途事例
- 各種ウエハの金属汚染評価（50～300mmウエハ対応）
- 化合物ウエハの評価：GaN・GaAs・AlN・InP・GaP・Ge・Sapphireなど
- Siウエハ以外の評価（汎用的に半導体汚染評価に用いられるVPD-ICP-MSは主にSiウエハのみ対応）
原理/特徴
特徴
- 定性・定量・高感度・非破壊分析
- ～300mmウエハ対応
- 2次元マッピング対応
- Al、NaおよびMgが測定可能
- ウエハのエッジ部も測定可能
制約
- 深さ情報（Depth profile）は取得できない
- 分析スポット：Φ10mm
- 高感度分析：研磨された表面が必要
- 取得元素によっては基板から発生したマトリックス元素の影響を受ける
検出原理
分析ビーム選択と検出下限
分析事例
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GaN結晶の極性評価 Ga極性面とN極性面は成長速度・表面拡散が異なるため結晶性に大きく影響します。ABFの原子像とシミュレーション像を比較することで直接極性を決定することができます。 |
高精度・断面TEM試料作製 高アスペクト比ホールのメモリセル解析には、深さ方向に均一な厚さでカーテン効果等のアーティファクトの影響を回避したTEM試料作成が必要不可欠です。弊社では均一な厚みでアーチフェクトを抑えたTEM試料を高い再現性で作成できる技術を確立しています。 |
Multiple FIB cut 高精度・平面TEM試料作製 断面・平面方向など多角的な解析を実施することにより高精度なナノメートルスケールの膜厚評価が可能です。 |
