VPD-ICP-MS｜気相分解法型誘導結合プラズマ質量分析
分析概略
VPD-ICP-MS（気相分解法型ICP-MS（誘導結合プラズマ質量）分析）はSiウエハ全体の汚染総量を分析するためによく使われる分析手法です。VPD（気相分解法）とICP-MS（誘導体結合プラズマ質量分析）を組み合わせることにより検出下限が向上します。Siウエハ全体（パターンなし）から汚染総量を分析することもできますし、Siウエハの中心部と外周部の汚染量を比較分析することも可能です。
＊再委託サービス：委託先 Balazs™ NanoAnalysis
対象分野
半導体
用途事例
- Siウエハの汚染分析（～300mm対応）
原理/特徴
特徴
- 定性・定量・高感度
- ～300mmウエハ対応
- ウエハ全体の評価
- ウエハ中心部と外周部の比較評価
制約
- 破壊分析
- フッ酸で溶解しない元素は測定不可
検出原理
VPD-ICP-MS：検出可能な元素
VPD-ICP-MS：検出限界（300mmウエハ）
分析事例
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VPD-ICP-MS：300mm Siウエハ評価 |
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