非破壊検査 | 赤外線ロックインサーモグラフィ
非破壊解析 | 赤外線ロックインサーモグラフィ
ロックイン赤外線発熱解析装置による非破壊故障解析を受託します。電子部品やプリント基板などのショートやリークに伴う発熱箇所をロックイン方式により可視化し、故障箇所を非破壊で特定可能な装置です。発熱画像と実際のイメージを重ね合わせることで、故障箇所を容易に特定できます。従来の故障特定方法(例:エミッション顕微鏡による発光解析 等)に比べ検出感度が良く、部品や基板内部の発熱を検出することができるため、部品の取り外しやパッケージの開封作業を行うことなく非破壊での調査が可能です。
・メーカー: Optotherm社 (日本総代理店: ハイソル株式会社)
・型名: Sentris
ロックイン赤外線発熱解析装置外観と庫内大きさイメージ
故障した部品の異常箇所が特定できず原因調査に行き詰まった経験はありませんか?
ロックイン赤外線発熱解析装置は、電子部品やプリント基板などのショートやリークに伴う発熱箇所をロックイン方式により可視化し、故障箇所を非破壊で特定可能な装置です。
発熱画像と実際のイメージを重ね合わせることで、故障箇所を容易に特定可能です。
また、従来の故障特定方法(例:エミッション顕微鏡による発光解析 等)に比べ検出感度が良く、部品や基板内部の発熱を検出することができるため、部品の取り外しやパッケージの開封作業を行うことなく非破壊での調査が可能です。
装置仕様 | 赤外線ロックインサーモグラフィ
※ご希望の条件で試験可能かどうか、試験条件をご連絡ください。
項目 | 仕様 |
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試料最大寸法 | W450 x D450 x H56mm |
観察可能範囲 | 307 x 307mm |
試料最大重量 | 10kg |
最大視野 | 240mm x 170mm |
分解能 | 5um / ピクセル |
特徴 |
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注意事項
- ショートやリーク検出のために配線処理の必要があります
- 1mmwの電力から検出が可能です(サンプルの熱容量による)
非破壊解析事例 | 赤外線ロックインサーモグラフィ
LSIチップの解析事例
ショート不良の故障部品を解析し、ショート箇所をピンポイントで特定した事例です。
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LSIパッケージの解析事例
サブストレート基板でのショート不良箇所を特定した事例になります。
セラミックコンデンサの解析事例
モジュール基板でセラミックコンデンサ部が発熱。発熱が確認されたコンデンサを断面研磨し内部の電極が溶融していることを確認しました。
モジュール基板でセラミックコンデンサ部が発熱
左:コンデンサ内部(断面研磨) 右:コンデンサ内部の電極溶融
主に以下の観察が可能です
・樹脂封止された部品内部のボイド、クラック
・封止材の充填状態
・異なる材料を接合した部分など接合界面の剥離状態
・ポップコーン現象等による内部剥離
その他、活用事例をパンフレットによりご紹介しています。